SHF 1T-OTP面向采用40纳米、28纳米、20纳米以及更小工艺尺寸的系统级芯片;Sidense 1T-OTP已被领先半导体制造商广泛应用于40纳米和28纳米芯片设计

　　Marketwired 2013年7月31日加拿大渥太华消息/明通新闻专线/--

　　领先的逻辑非易失性存储器(LNVM)一次性可编程(OTP)知识产权(IP)内核开发商Sidense今日推出SHF(Sidense Hiper Fuse)一次性可编程(OTP)存储器，这种存储器适用于采用40纳米、28纳米、20纳米以及更小几何尺寸先进工艺的集成电路。Sidense SHF 1T-OTP已获得应用于G和LP两种40纳米工艺技术的资质认证，且正在进行应用于多种28纳米工艺技术的资质认证，应用于20纳米工艺技术的资质认证也将随后进行。

　　获得适合40纳米和28纳米工艺技术的SHF许可的客户包括为移动、消费和计算应用开发产品的一些领先半导体公司。SHF的用途包括程序储存、现场可编程只读存储器(ROM)替代、安全加密密钥存储、配置、保险丝替代、调整和校准等。

　　SHF使采用40纳米和更先进工艺技术开发硅芯片产品的客户获得了用途广泛的Sidense 1T-OTP存储器的优势。除占用空间小外，SHF宏在多晶硅或高K金属栅(HKMG)先进工艺技术(先栅极和后栅极)中无需额外的掩模或工艺步骤，提供了一种高成本效益的嵌入式存储器解决方案。与其他类型的非易失性存储器相比，Sidense拥有专利的单晶体管比特单元在安全性和可靠性上也具有许多优势。

　　Sidense SHF还为客户带来了更多的优势，包括针对就地执行程序的快速编程与快速读取性能、在-40°C至125°C温度范围的读写操作和为高安全性应用提供内置冗余、编程与测试接口、纠错、程序控制、自测和支持等的全面特性。现场编程还可使用一系列电源选项，支持供电敏感型的高性能计算与移动应用。

　　Sidense创始人、首席技术官Wlodek Kurjanowicz表示：“与我们所有的非易失性存储器产品一样，SHF宏基于我们拥有专利的单通道分割1T-Fuse(TM)比特单元架构，这种架构有助Sidense为广泛的应用提供安全、可靠和高成本效益的现场可编程OTP产品。SHF是为设计低电压和高性能产品的尖端客户开发的，这些产品需要采用最先进的工艺技术和完善的非易失性存储器解决方案。”

　　SHF非易失性存储器拥有高达1Mbit的多种多样的1T-OTP宏配置，而且可多次进行规模更大的配置。欲了解有关产品特性及产品供应的详情，请联络Sidense：info@sidense.com ，或访问我们的网站：www.sidense.com/products/shf.html  。

　　关于Sidense公司

　　Sidense公司提供用于标准逻辑CMOS工艺的高密度、高可靠性和高安全性的非易失性一次性可编程(OTP)逻辑非易失性存储器(LNVM)智权(IP)。公司已经获得或正在申请的专利超过115项，公司提供基于创新型1T-Fuse(TM)比特单元的OTP存储器IP许可，1T-Fuse是低至20纳米的硅芯片技术，制造过程不需要额外的掩模或工艺步骤。与闪存、掩模型ROM、eFuse及其他嵌入式和芯片外NVM技术相比，Sidense 1T-OTP宏提供了一个更好的现场可编程、高可靠性和高成本效益的解决方案，适合程序储存、密钥、模拟信号调整和设备配置等多种用途。

　　目前有100多家公司，包括许多无厂半导体制造商和IDM厂商，已采用Sidense 1T-OTP作为300多种芯片设计的NVM解决方案。客户日益认识到，该解决方案能显著降低成本和能耗，还为从移动和消费电子设备到高温、高可靠性的汽车和工业电子设备等应用提供了更好的安全性和可靠性。该IP被提供给所有顶级半导体晶圆厂和精选的IDM厂商并得到它们的支持。Sidense总部在加拿大渥太华，并在世界各地设有销售办事处。了解更多详情，请访问：www.sidense.com 。

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